深圳市华亚科宇半导体有限公司

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2SK241-GR/Y

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK241-GR/Y 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SP/特殊外形 材料:GE-N-FET锗N沟道

NEC钽电容 TE*VA1C106M8R

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:TE*VA1C106M8R 介质材料:钽电解 应用范围:滤波 外形:长方形 功率特性:小功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:&plu*n;20(%) 耐压值:16(V) 等效串联电阻(*R):0(mΩ) 标称容量:10(uF) 损耗:0 额定电压:16(V) *缘电阻:0(mΩ) 温度系数:0